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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysGWM160-0055P3
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

GWM160-0055P3 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
GWM160-0055P3
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-GWM160-0055P3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 6N-CH 55V 160A ISODIL
detaillierte Beschreibung
Verpackung
17-SMD, Flat Leads
Datenblatt
GWM160-0055P3.pdf
vorrätig: 5040

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Spezifikation

GWM160-0055P3 Tech -Spezifikationen
IXYS - GWM160-0055P3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - GWM160-0055P3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse ISOPLUS-DIL™  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 100A, 10V  
Leistung - max -  
Verpackung / Gehäuse 17-SMD, Flat Leads  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds -  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 160A  
Konfiguration 6 N-Channel (3-Phase Bridge)  
Grundproduktnummer GWM160  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS GWM160-0055P3.

Produkteigenschaften GWM160-0055P3 DMHC3025LSD-13 NTHD4508NT1G SSD2025TF
Artikelnummer GWM160-0055P3 DMHC3025LSD-13 NTHD4508NT1G SSD2025TF
Hersteller IXYS Diodes Incorporated onsemi onsemi
Supplier Device-Gehäuse ISOPLUS-DIL™ 8-SO ChipFET™ 8-SOIC
FET-Merkmal - Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 100A, 10V 25mOhm @ 5A, 10V 75mOhm @ 3.1A, 4.5V 100mOhm @ 3.3A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds - 590pF @ 15V 180pF @ 10V -
Serie - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA 2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1V @ 250µA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Leistung - max - 1.5W 1.13W 2W
Grundproduktnummer GWM160 DMHC3025 NTHD4508 SSD2025
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 10V 11.7nC @ 10V 4nC @ 4.5V 30nC @ 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 160A 6A, 4.2A 3A 3.3A
Konfiguration 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55V 30V 20V 60V
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse 17-SMD, Flat Leads 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SMD, Flat Lead 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

GWM160-0055P3 Datenblatt PDF

Laden Sie GWM160-0055P3 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für GWM160-0055P3 - IXYS herunter.

Datenblätter
GWM160-0055P3.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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