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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysGWM70-01P2
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

GWM70-01P2 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
GWM70-01P2
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-GWM70-01P2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 6N-CH 100V 70A ISODIL
detaillierte Beschreibung
Verpackung
17-SMD, Flat Leads
Datenblatt
GWM70-01P2.pdf
vorrätig: 4310

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Spezifikation

GWM70-01P2 Tech -Spezifikationen
IXYS - GWM70-01P2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - GWM70-01P2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse ISOPLUS-DIL™  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 35A, 10V  
Leistung - max -  
Verpackung / Gehäuse 17-SMD, Flat Leads  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds -  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 70A  
Konfiguration 6 N-Channel (3-Phase Bridge)  
Grundproduktnummer GWM70  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS GWM70-01P2.

Produkteigenschaften GWM70-01P2 NTHD4401PT3G SI3948DV-T1-GE3 GWM160-0055P3
Artikelnummer GWM70-01P2 NTHD4401PT3G SI3948DV-T1-GE3 GWM160-0055P3
Hersteller IXYS onsemi Vishay Siliconix IXYS
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 35A, 10V 155mOhm @ 2.1A, 4.5V 105mOhm @ 2.5A, 10V 3mOhm @ 100A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V 20V 30V 55V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA 1.2V @ 250µA 1V @ 250µA (Min) 4V @ 1mA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 70A 2.1A - 160A
Grundproduktnummer GWM70 NTHD44 SI3948 GWM160
FET-Merkmal - Logic Level Gate Logic Level Gate -
Konfiguration 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Verpackung / Gehäuse 17-SMD, Flat Leads 8-SMD, Flat Lead SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 17-SMD, Flat Leads
Serie - - TrenchFET® -
Supplier Device-Gehäuse ISOPLUS-DIL™ ChipFET™ 6-TSOP ISOPLUS-DIL™
Leistung - max - 1.1W 1.15W -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V 6nC @ 4.5V 3.2nC @ 5V 90nC @ 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds - 300pF @ 10V - -

GWM70-01P2 Datenblatt PDF

Laden Sie GWM70-01P2 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für GWM70-01P2 - IXYS herunter.

Datenblätter
GWM70-01P2.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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