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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)PMIC-Gate-TreiberIXDD609SIATR
IXDD609SIATR Image
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IXDD609SIATR - IXYS Integrated Circuits Division

Hersteller Artikelnummer
IXDD609SIATR
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXDD609SIATR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Datenblatt
Cylindrical Battery Holders.pdf
RoHS Status
vorrätig: 44793

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Anzahl

Spezifikation

IXDD609SIATR Tech -Spezifikationen
IXYS Integrated Circuits Division - IXDD609SIATR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS Integrated Circuits Division - IXDD609SIATR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
Spannungsversorgung 4.5V ~ 35V  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 22ns, 15ns  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 1  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 3V  
Eingabetyp Non-Inverting  
Gate-Typ IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration Low-Side  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 9A, 9A  
Ladestrom Single  
Grundproduktnummer IXDD609  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS Integrated Circuits Division IXDD609SIATR.

Produkteigenschaften IXDD609SIATR IXDD604D2TR IXDD609PI IXDD609CI
Artikelnummer IXDD609SIATR IXDD604D2TR IXDD609PI IXDD609CI
Hersteller IXYS Integrated Circuits Division IXYS Integrated Circuits Division IXYS Integrated Circuits Division IXYS Integrated Circuits Division
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TA) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-DFN-EP (5x4) 8-DIP TO-220-5
Angetriebene Konfiguration Low-Side Low-Side Low-Side Low-Side
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 22ns, 15ns 9ns, 8ns 22ns, 15ns 22ns, 15ns
Gate-Typ IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Eingabetyp Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-VDFN Exposed Pad 8-DIP (0.300', 7.62mm) TO-220-5
Grundproduktnummer IXDD609 IXDD604 IXDD609 IXDD609
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 3V 0.8V, 3V 0.8V, 3V 0.8V, 3V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 9A, 9A 4A, 4A 9A, 9A 9A, 9A
Spannungsversorgung 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tube
Ladestrom Single Independent Single Single
Anzahl der Treiber 1 2 1 1
Serie - - - -

IXDD609SIATR Datenblatt PDF

Laden Sie IXDD609SIATR PDF -Datenblätter und IXYS Integrated Circuits Division -Dokumentation für IXDD609SIATR - IXYS Integrated Circuits Division herunter.

Datenblätter
Cylindrical Battery Holders.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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IXDD609SIATR

IXYS Integrated Circuits Division
32D-IXDD609SIATR

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