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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)PMIC-Gate-TreiberIXDD609SITR
IXDD609SITR Image
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IXDD609SITR - IXYS Integrated Circuits Division

Hersteller Artikelnummer
IXDD609SITR
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXDD609SITR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Datenblatt
IXD 609.pdf
RoHS Status
vorrätig: 25240

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Anzahl

Spezifikation

IXDD609SITR Tech -Spezifikationen
IXYS Integrated Circuits Division - IXDD609SITR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS Integrated Circuits Division - IXDD609SITR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
Spannungsversorgung 4.5V ~ 35V  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC-EP  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 22ns, 15ns  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 1  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 3V  
Eingabetyp Non-Inverting  
Gate-Typ IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration Low-Side  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 9A, 9A  
Ladestrom Single  
Grundproduktnummer IXDD609  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS Integrated Circuits Division IXDD609SITR.

Produkteigenschaften IXDD609SITR IXDF404PI IXDD609CI IXDD609SIATR
Artikelnummer IXDD609SITR IXDF404PI IXDD609CI IXDD609SIATR
Hersteller IXYS Integrated Circuits Division IXYS IXYS Integrated Circuits Division IXYS Integrated Circuits Division
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 22ns, 15ns 16ns, 13ns 22ns, 15ns 22ns, 15ns
Gate-Typ IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Grundproduktnummer IXDD609 IXDF404 IXDD609 IXDD609
Ladestrom Single Independent Single Single
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 9A, 9A 4A, 4A 9A, 9A 9A, 9A
Anzahl der Treiber 1 2 1 1
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 3V 0.8V, 2.5V 0.8V, 3V 0.8V, 3V
Angetriebene Konfiguration Low-Side Low-Side Low-Side Low-Side
Eingabetyp Non-Inverting Inverting, Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 8-DIP (0.300", 7.62mm) TO-220-5 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC-EP 8-DIP TO-220-5 8-SOIC
Spannungsversorgung 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V
Serie - - - -

IXDD609SITR Datenblatt PDF

Laden Sie IXDD609SITR PDF -Datenblätter und IXYS Integrated Circuits Division -Dokumentation für IXDD609SITR - IXYS Integrated Circuits Division herunter.

Datenblätter
IXD 609.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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  1. Telefon
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32D-IXDD609SITR

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