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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)PMIC-Gate-TreiberIXDN602SIATR
IXDN602SIATR Image
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IXDN602SIATR - IXYS Integrated Circuits Division

Hersteller Artikelnummer
IXDN602SIATR
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXDN602SIATR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Datenblatt
IXDx602.pdf
RoHS Status
vorrätig: 51160

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Spezifikation

IXDN602SIATR Tech -Spezifikationen
IXYS Integrated Circuits Division - IXDN602SIATR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS Integrated Circuits Division - IXDN602SIATR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
Spannungsversorgung 4.5V ~ 35V  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 7.5ns, 6.5ns  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 2  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 3V  
Eingabetyp Non-Inverting  
Gate-Typ IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration Low-Side  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 2A, 2A  
Ladestrom Independent  
Grundproduktnummer IXDN602  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS Integrated Circuits Division IXDN602SIATR.

Produkteigenschaften IXDN602SIATR IXDN609PI IXDN604SITR IXDN604PI
Artikelnummer IXDN602SIATR IXDN609PI IXDN604SITR IXDN604PI
Hersteller IXYS Integrated Circuits Division IXYS Integrated Circuits Division IXYS Integrated Circuits Division IXYS Integrated Circuits Division
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-DIP (0.300', 7.62mm) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) Exposed Pad 8-DIP (0.300', 7.62mm), 6 Leads
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 2A, 2A 9A, 9A 4A, 4A 4A, 4A
Eingabetyp Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tube
Anzahl der Treiber 2 1 2 2
Grundproduktnummer IXDN602 IXDN609 IXDN604 IXDN604
Serie - - - -
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 3V 0.8V, 3V 0.8V, 3V 0.8V, 3V
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-DIP 8-SOIC-EP 8-DIP
Angetriebene Konfiguration Low-Side Low-Side Low-Side Low-Side
Ladestrom Independent Single Independent Independent
Gate-Typ IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Spannungsversorgung 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 7.5ns, 6.5ns 22ns, 15ns 9ns, 8ns 9ns, 8ns
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TA) -40°C ~ 125°C (TA)

IXDN602SIATR Datenblatt PDF

Laden Sie IXDN602SIATR PDF -Datenblätter und IXYS Integrated Circuits Division -Dokumentation für IXDN602SIATR - IXYS Integrated Circuits Division herunter.

HTML -Datenblatt
IXDx602.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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IXDN602SIATR

IXYS Integrated Circuits Division
32D-IXDN602SIATR

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