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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)PMIC-Gate-TreiberIXDN602SITR
IXDN602SITR Image
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IXDN602SITR - IXYS Integrated Circuits Division

Hersteller Artikelnummer
IXDN602SITR
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXDN602SITR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) Exposed Pad
Datenblatt
IXDx602.pdf
RoHS Status
vorrätig: 35618

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Spezifikation

IXDN602SITR Tech -Spezifikationen
IXYS Integrated Circuits Division - IXDN602SITR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS Integrated Circuits Division - IXDN602SITR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
Spannungsversorgung 4.5V ~ 35V  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC-EP  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 7.5ns, 6.5ns  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) Exposed Pad  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 2  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 3V  
Eingabetyp Non-Inverting  
Gate-Typ IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration Low-Side  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 2A, 2A  
Ladestrom Independent  
Grundproduktnummer IXDN602  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS Integrated Circuits Division IXDN602SITR.

Produkteigenschaften IXDN602SITR IXDN602PI IXDN604SIATR IXDN604SITR
Artikelnummer IXDN602SITR IXDN602PI IXDN604SIATR IXDN604SITR
Hersteller IXYS Integrated Circuits Division IXYS Integrated Circuits Division IXYS Integrated Circuits Division IXYS Integrated Circuits Division
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 7.5ns, 6.5ns 7.5ns, 6.5ns 9ns, 8ns 9ns, 8ns
Angetriebene Konfiguration Low-Side Low-Side Low-Side Low-Side
Grundproduktnummer IXDN602 IXDN602 IXDN604 IXDN604
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 3V 0.8V, 3V 0.8V, 3V 0.8V, 3V
Serie - - - -
Gate-Typ IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 2A, 2A 2A, 2A 4A, 4A 4A, 4A
Ladestrom Independent Independent Independent Independent
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TA) -40°C ~ 125°C (TA)
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC-EP 8-DIP 8-SOIC 8-SOIC-EP
Spannungsversorgung 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Anzahl der Treiber 2 2 2 2
Eingabetyp Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) Exposed Pad 8-DIP (0.300', 7.62mm) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) Exposed Pad

IXDN602SITR Datenblatt PDF

Laden Sie IXDN602SITR PDF -Datenblätter und IXYS Integrated Circuits Division -Dokumentation für IXDN602SITR - IXYS Integrated Circuits Division herunter.

HTML -Datenblatt
IXDx602.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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IXDN602SITR

IXYS Integrated Circuits Division
32D-IXDN602SITR

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