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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFA3N120
IXFA3N120 Image
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IXFA3N120 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFA3N120
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFA3N120
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IXFA3N120, IXFP3N120.pdf
RoHS Status
vorrätig: 6610

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Spezifikation

IXFA3N120 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFA3N120 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFA3N120

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 1.5mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-263AA (IXFA)  
Serie HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5Ohm @ 1.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 200W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1050 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFA3  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFA3N120.

Produkteigenschaften IXFA3N120 IXFA230N075T2 IXFA22N65X2 IXFA7N80P
Artikelnummer IXFA3N120 IXFA230N075T2 IXFA22N65X2 IXFA7N80P
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Tc) 230A (Tc) 22A (Tc) 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5Ohm @ 1.5A, 10V 4.2mOhm @ 50A, 10V 160mOhm @ 11A, 10V 1.44Ohm @ 3.5A, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-263AA (IXFA) TO-263AA (IXFA) TO-263HV TO-263AA (IXFA)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V 178 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 1.5mA 4V @ 1mA 5.5V @ 1.5mA 5V @ 1mA
Grundproduktnummer IXFA3 IXFA230 IXFA22 IXFA7N80
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verlustleistung (max) 200W (Tc) 480W (Tc) 390W (Tc) 200W (Tc)
Serie HiPerFET™ HiPerFET™, TrenchT2™ HiPerFET™, Ultra X2 HiPerFET™, Polar
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V 75 V 650 V 800 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±30V
FET-Merkmal - - - -
Paket Tube Tube Tube Tube
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1050 pF @ 25 V 10500 pF @ 25 V 2310 pF @ 25 V 1890 pF @ 25 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IXFA3N120 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFA3N120 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFA3N120 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXFA3N120, IXFP3N120.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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