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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFA7N100P
IXFA7N100P Image
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IXFA7N100P - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFA7N100P
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFA7N100P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 7A TO263
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IXF(A,P)7N100P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 9202

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Anzahl

Spezifikation

IXFA7N100P Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFA7N100P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFA7N100P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 6V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-263AA (IXFA)  
Serie HiPerFET™, Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9Ohm @ 3.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 300W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2590 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFA7N100  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFA7N100P.

Produkteigenschaften IXFA7N100P IXFA34N65X2 IXFA4N100Q IXFA3N120
Artikelnummer IXFA7N100P IXFA34N65X2 IXFA4N100Q IXFA3N120
Hersteller IXYS IXYS Corporation IXYS IXYS
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V 650V 1000 V 1200 V
Serie HiPerFET™, Polar HiPerFET™ HiPerFET™, Q Class HiPerFET™
Paket Tube - Tube Tube
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47 nC @ 10 V 56nC @ 10V 39 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 6V @ 1mA 5.5V @ 2.5mA 4.5V @ 1.5mA 5V @ 1.5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9Ohm @ 3.5A, 10V 105 mOhm @ 17A, 10V 3Ohm @ 2A, 10V 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Tc) 34A (Tc) 4A (Tc) 3A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-263AA (IXFA) TO-263AA TO-263AA (IXFA) TO-263AA (IXFA)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2590 pF @ 25 V 3330pF @ 25V 1050 pF @ 25 V 1050 pF @ 25 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Verlustleistung (max) 300W (Tc) 540W (Tc) 150W (Tc) 200W (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±20V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer IXFA7N100 - IXFA4N100 IXFA3

IXFA7N100P Datenblatt PDF

Laden Sie IXFA7N100P PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFA7N100P - IXYS herunter.

Datenblätter
IXF(A,P)7N100P.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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