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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFH13N50
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXFH13N50 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFH13N50
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFH13N50
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 13A TO247AD
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IXFH,IXFM 13N50.pdf
vorrätig: 4580

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Spezifikation

IXFH13N50 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFH13N50 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFH13N50

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247AD (IXFH)  
Serie HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 6.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 180W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2800 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFH13  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFH13N50.

Produkteigenschaften IXFH13N50 IXFH14N100Q2 IXFH150N17T IXFH12N100F
Artikelnummer IXFH13N50 IXFH14N100Q2 IXFH150N17T IXFH12N100F
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 6.5A, 10V 950mOhm @ 7A, 10V 12mOhm @ 75A, 10V 1.05Ohm @ 6A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Paket Tube Tube Tube Tube
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Tc) 14A (Tc) 150A (Tc) 12A (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verlustleistung (max) 180W (Tc) 500W (Tc) 830W (Tc) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V 83 nC @ 10 V 155 nC @ 10 V 77 nC @ 10 V
Serie HiPerFET™ HiPerFET™, Q2 Class TrenchHV™ HiPerFET™, F Class
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA 5.5V @ 4mA 5V @ 3mA 5.5V @ 4mA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 1000 V 175 V 1000 V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±20V
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer IXFH13 IXFH14 IXFH150 IXFH12
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2800 pF @ 25 V 2800 pF @ 25 V 9800 pF @ 25 V 2700 pF @ 25 V

IXFH13N50 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFH13N50 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFH13N50 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXFH,IXFM 13N50.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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