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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFH140N10P
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXFH140N10P - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFH140N10P
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFH140N10P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 140A TO247AD
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IXF(H,T)140N10P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 7384

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Spezifikation

IXFH140N10P Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFH140N10P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFH140N10P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247AD (IXFH)  
Serie HiPerFET™, Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 70A, 10V  
Verlustleistung (max) 600W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4700 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 155 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 140A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFH140  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFH140N10P.

Produkteigenschaften IXFH140N10P IXFH13N100 IXFH13N80 IXFH14N80
Artikelnummer IXFH140N10P IXFH13N100 IXFH13N80 IXFH14N80
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Grundproduktnummer IXFH140 IXFH13 IXFH13 IXFH14
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Serie HiPerFET™, Polar HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 70A, 10V 900mOhm @ 500mA, 10V 800mOhm @ 500mA, 10V 700mOhm @ 500mA, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verlustleistung (max) 600W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 1000 V 800 V 800 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH)
Paket Tube Tube Tube Tube
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA 4.5V @ 4mA 4.5V @ 4mA 4.5V @ 4mA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4700 pF @ 25 V 4000 pF @ 25 V 4200 pF @ 25 V 4870 pF @ 25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 140A (Tc) 12.5A (Tc) 13A (Tc) 14A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 155 nC @ 10 V 155 nC @ 10 V 155 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IXFH140N10P Datenblatt PDF

Laden Sie IXFH140N10P PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFH140N10P - IXYS herunter.

Datenblätter
IXF(H,T)140N10P.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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