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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFH15N100P
IXYS
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IXFH15N100P - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFH15N100P
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFH15N100P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 15A TO247AD
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IXFH-FV15N100P/PS.pdf
RoHS Status
vorrätig: 6929

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Spezifikation

IXFH15N100P Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFH15N100P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFH15N100P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 6.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247AD (IXFH)  
Serie HiPerFET™, Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 760mOhm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 543W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5140 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 97 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFH15  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFH15N100P.

Produkteigenschaften IXFH15N100P IXFH15N60 IXFH160N15T IXFH160N15T2
Artikelnummer IXFH15N100P IXFH15N60 IXFH160N15T IXFH160N15T2
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Supplier Device-Gehäuse TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Grundproduktnummer IXFH15 IXFH15 IXFH160 IXFH160
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V 600 V 150 V 150 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 6.5V @ 1mA 4.5V @ 4mA 5V @ 1mA 4.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 97 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V 253 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Tc) 15A (Tc) 160A (Tc) 160A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5140 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V 8800 pF @ 25 V 15000 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 760mOhm @ 500mA, 10V 500mOhm @ 500mA, 10V 9.6mOhm @ 500mA, 10V 9mOhm @ 80A, 10V
Serie HiPerFET™, Polar HiPerFET™ TrenchHV™ HiPerFET™, TrenchT2™
Verlustleistung (max) 543W (Tc) 300W (Tc) 830W (Tc) 880W (Tc)
Paket Tube Tube Tube Tube
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±20V
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

IXFH15N100P Datenblatt PDF

Laden Sie IXFH15N100P PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFH15N100P - IXYS herunter.

Datenblätter
IXFH-FV15N100P/PS.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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