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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFH150N20T
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXFH150N20T - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFH150N20T
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFH150N20T
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 150A TO247AD
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IXFx150N20T.pdf
RoHS Status
vorrätig: 2600

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Spezifikation

IXFH150N20T Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFH150N20T Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFH150N20T

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247AD (IXFH)  
Serie HiPerFET™, Trench  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 75A, 10V  
Verlustleistung (max) 890W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 11700 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 177 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 150A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFH150  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFH150N20T.

Produkteigenschaften IXFH150N20T IXFH15N100Q IXFH150N17T IXFH150N17T2
Artikelnummer IXFH150N20T IXFH15N100Q IXFH150N17T IXFH150N17T2
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 11700 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V 9800 pF @ 25 V 14600 pF @ 25 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verlustleistung (max) 890W (Tc) 360W (Tc) 830W (Tc) 880W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Grundproduktnummer IXFH150 IXFH15 IXFH150 IXFH150
Serie HiPerFET™, Trench HiPerFET™ TrenchHV™ HiPerFET™, TrenchT2™
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 1000 V 175 V 175 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 75A, 10V 700mOhm @ 500mA, 10V 12mOhm @ 75A, 10V 12mOhm @ 75A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Supplier Device-Gehäuse TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Paket Tube Tube Tube Tube
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 150A (Tc) 15A (Tc) 150A (Tc) 150A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 177 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V 155 nC @ 10 V 233 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA 5V @ 4mA 5V @ 3mA 4.5V @ 1mA

IXFH150N20T Datenblatt PDF

Laden Sie IXFH150N20T PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFH150N20T - IXYS herunter.

Datenblätter
IXFx150N20T.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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