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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFH22N60P
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXFH22N60P - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFH22N60P
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFH22N60P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 22A TO247AD
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IXFH22N60P, IXFV22N60P/PS.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4590

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Spezifikation

IXFH22N60P Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFH22N60P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFH22N60P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247AD (IXFH)  
Serie HiPerFET™, Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 11A, 10V  
Verlustleistung (max) 400W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3600 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 22A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFH22  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFH22N60P.

Produkteigenschaften IXFH22N60P IXFH22N65X2 IXFH24N90P IXFH23N60Q
Artikelnummer IXFH22N60P IXFH22N65X2 IXFH24N90P IXFH23N60Q
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 22A (Tc) 22A (Tc) 24A (Tc) 23A (Tc)
Verlustleistung (max) 400W (Tc) 390W (Tc) 660W (Tc) 400W (Tc)
Paket Tube Tube Tube Tube
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 11A, 10V 160mOhm @ 11A, 10V 420mOhm @ 12A, 10V 320mOhm @ 500mA, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse TO-247AD (IXFH) TO-247 (IXTH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH)
Serie HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Ultra X2 HiPerFET™, Polar HiPerFET™
Grundproduktnummer IXFH22 IXFH22 IXFH24 IXFH23
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 650 V 900 V 600 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3600 pF @ 25 V 2310 pF @ 25 V 7200 pF @ 25 V 3300 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 4mA 5.5V @ 1.5mA 6.5V @ 1mA 4.5V @ 4mA

IXFH22N60P Datenblatt PDF

Laden Sie IXFH22N60P PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFH22N60P - IXYS herunter.

Datenblätter
IXFH22N60P, IXFV22N60P/PS.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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