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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFH23N80Q
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXFH23N80Q - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFH23N80Q
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFH23N80Q
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 23A TO247AD
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IXF(H,T)23N80Q.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3880

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Anzahl

Spezifikation

IXFH23N80Q Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFH23N80Q Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFH23N80Q

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 3mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247AD (IXFH)  
Serie HiPerFET™, Q Class  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420mOhm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 500W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4900 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 23A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFH23  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFH23N80Q.

Produkteigenschaften IXFH23N80Q IXFH26N50P3 IXFH21N50F IXFH24N80P
Artikelnummer IXFH23N80Q IXFH26N50P3 IXFH21N50F IXFH24N80P
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4900 pF @ 25 V 2220 pF @ 25 V 2600 pF @ 25 V 7200 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 500W (Tc) 500W (Tc) 300W (Tc) 650W (Tc)
Grundproduktnummer IXFH23 IXFH26 IXFH21 IXFH24
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 3mA 5V @ 4mA 5.5V @ 4mA 5V @ 4mA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 23A (Tc) 26A (Tc) 21A (Tc) 24A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie HiPerFET™, Q Class HiPerFET™, Polar3™ HiPerRF™ HiPerFET™, Polar
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V 42 nC @ 10 V 77 nC @ 10 V 105 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420mOhm @ 500mA, 10V 230mOhm @ 13A, 10V 250mOhm @ 10.5A, 10V 400mOhm @ 12A, 10V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±30V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V 500 V 500 V 800 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Paket Tube Tube Tube Tube
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Supplier Device-Gehäuse TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247 (IXFH) TO-247AD (IXFH)

IXFH23N80Q Datenblatt PDF

Laden Sie IXFH23N80Q PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFH23N80Q - IXYS herunter.

Datenblätter
IXF(H,T)23N80Q.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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