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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFH26N50Q
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXFH26N50Q - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFH26N50Q
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFH26N50Q
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IXF(H,T)2(4,6)N50Q.pdf
vorrätig: 3650

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Spezifikation

IXFH26N50Q Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFH26N50Q Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFH26N50Q

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247AD (IXFH)  
Serie HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 13A, 10V  
Verlustleistung (max) 300W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3900 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 26A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFH26  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFH26N50Q.

Produkteigenschaften IXFH26N50Q IXFH28N50Q IXFH24N50 IXFH26N50P
Artikelnummer IXFH26N50Q IXFH28N50Q IXFH24N50 IXFH26N50P
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 500 V 500 V 500 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3900 pF @ 25 V 3000 pF @ 25 V 4200 pF @ 25 V 3600 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±30V
Paket Tube Tube Tube Tube
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 26A (Tc) 28A (Tc) 24A (Tc) 26A (Tc)
Grundproduktnummer IXFH26 IXFH28 IXFH24 IXFH26
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V 94 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 300W (Tc) 375W (Tc) 300W (Tc) 400W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA 4.5V @ 4mA 4V @ 4mA 5.5V @ 4mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 13A, 10V 200mOhm @ 14A, 10V 230mOhm @ 12A, 10V 230mOhm @ 13A, 10V
Serie HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™, Polar

IXFH26N50Q Datenblatt PDF

Laden Sie IXFH26N50Q PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFH26N50Q - IXYS herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Mosfet EOL 22/Mar/2017.pdf
Datenblätter
IXF(H,T)2(4,6)N50Q.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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