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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFH26N50P3
IXYS
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IXFH26N50P3 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFH26N50P3
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFH26N50P3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IXFx26N50P3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 8279

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Spezifikation

IXFH26N50P3 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFH26N50P3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFH26N50P3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247AD (IXFH)  
Serie HiPerFET™, Polar3™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 230mOhm @ 13A, 10V  
Verlustleistung (max) 500W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2220 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 26A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFH26  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFH26N50P3.

Produkteigenschaften IXFH26N50P3 IXFH23N60Q IXFH28N50Q IXFH23N80Q
Artikelnummer IXFH26N50P3 IXFH23N60Q IXFH28N50Q IXFH23N80Q
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Serie HiPerFET™, Polar3™ HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™, Q Class
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 500W (Tc) 400W (Tc) 375W (Tc) 500W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA 4.5V @ 4mA 4.5V @ 4mA 4.5V @ 3mA
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 230mOhm @ 13A, 10V 320mOhm @ 500mA, 10V 200mOhm @ 14A, 10V 420mOhm @ 500mA, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2220 pF @ 25 V 3300 pF @ 25 V 3000 pF @ 25 V 4900 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer IXFH26 IXFH23 IXFH28 IXFH23
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 26A (Tc) 23A (Tc) 28A (Tc) 23A (Tc)
Paket Tube Tube Tube Tube
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 600 V 500 V 800 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V 94 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V

IXFH26N50P3 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFH26N50P3 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFH26N50P3 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXFx26N50P3.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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