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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFH7N90Q
IXYS
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IXFH7N90Q - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFH7N90Q
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFH7N90Q
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 900V 7A TO247AD
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IXF(H,T)7N90Q.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4020

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Anzahl

Spezifikation

IXFH7N90Q Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFH7N90Q Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFH7N90Q

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247AD (IXFH)  
Serie HiPerFET™, Q Class  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 180W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 900 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFH7  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFH7N90Q.

Produkteigenschaften IXFH7N90Q IXFH80N10 IXFH76N07-11 IXFH80N15Q
Artikelnummer IXFH7N90Q IXFH80N10 IXFH76N07-11 IXFH80N15Q
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Drain-Source-Spannung (Vdss) 900 V 100 V 70 V 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verlustleistung (max) 180W (Tc) 300W (Tc) 360W (Tc) 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 500mA, 10V 12.5mOhm @ 40A, 10V 11mOhm @ 40A, 10V 22.5mOhm @ 40A, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Tc) 80A (Tc) 76A (Tc) 80A (Tc)
Serie HiPerFET™, Q Class HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™
Supplier Device-Gehäuse TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA 4V @ 4mA 3.4V @ 4mA 4V @ 4mA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer IXFH7 IXFH80 IXFH76 IXFH80
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V 4800 pF @ 25 V 4400 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tube Tube Tube Tube
FET-Merkmal - - - -

IXFH7N90Q Datenblatt PDF

Laden Sie IXFH7N90Q PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFH7N90Q - IXYS herunter.

Datenblätter
IXF(H,T)7N90Q.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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