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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFH75N10Q
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXFH75N10Q - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFH75N10Q
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFH75N10Q
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 75A TO247AD
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IXF(H,T)75N10Q.pdf
vorrätig: 4910

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Spezifikation

IXFH75N10Q Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFH75N10Q Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFH75N10Q

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247AD (IXFH)  
Serie HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 37.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 300W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3700 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFH75  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFH75N10Q.

Produkteigenschaften IXFH75N10Q IXFH7N90Q IXFH6N100 IXFH70N20Q3
Artikelnummer IXFH75N10Q IXFH7N90Q IXFH6N100 IXFH70N20Q3
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc) 7A (Tc) 6A (Tc) 70A (Tc)
Verlustleistung (max) 300W (Tc) 180W (Tc) 180W (Tc) 690W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 900 V 1000 V 200 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie HiPerFET™ HiPerFET™, Q Class HiPerFET™ HiPerFET™, Q3 Class
Supplier Device-Gehäuse TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3700 pF @ 25 V 2200 pF @ 25 V 2600 pF @ 25 V 3150 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 37.5A, 10V 1.5Ohm @ 500mA, 10V 2Ohm @ 500mA, 10V 40mOhm @ 35A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Grundproduktnummer IXFH75 IXFH7 IXFH6 IXFH70
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 67 nC @ 10 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Paket Tube Tube Tube Tube
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA 5V @ 2.5mA 4.5V @ 2.5mA 6.5V @ 4mA

IXFH75N10Q Datenblatt PDF

Laden Sie IXFH75N10Q PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFH75N10Q - IXYS herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Mosfet EOL 22/Mar/2017.pdf
Datenblätter
IXF(H,T)75N10Q.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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