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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFH88N30P
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXFH88N30P - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFH88N30P
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFH88N30P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 300V 88A TO247AD
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IXF(T,H,K)88N30P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4128

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Spezifikation

IXFH88N30P Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFH88N30P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFH88N30P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247AD (IXFH)  
Serie HiPerFET™, Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 44A, 10V  
Verlustleistung (max) 600W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Box  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6300 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 300 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 88A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFH88  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFH88N30P.

Produkteigenschaften IXFH88N30P IXFH80N65X2 IXFH80N25X3 IXFK100N65X2
Artikelnummer IXFH88N30P IXFH80N65X2 IXFH80N25X3 IXFK100N65X2
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 88A (Tc) 80A (Tc) 80A (Tc) 100A (Tc)
Paket Box Tube Tube Tube
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA 5.5V @ 4mA 4.5V @ 1.5mA 5.5V @ 4mA
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-264-3, TO-264AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 44A, 10V 40mOhm @ 40A, 10V 16mOhm @ 40A, 10V 30mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V 143 nC @ 10 V 83 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±30V
Grundproduktnummer IXFH88 IXFH80 IXFH80 IXFK100
Verlustleistung (max) 600W (Tc) 890W (Tc) 390W (Tc) 1040W (Tc)
Serie HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Ultra X2 HiPerFET™, Ultra X3 HiPerFET™, Ultra X2
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6300 pF @ 25 V 8245 pF @ 25 V 5430 pF @ 25 V 11300 pF @ 25 V
Supplier Device-Gehäuse TO-247AD (IXFH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-264
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 300 V 650 V 250 V 650 V

IXFH88N30P Datenblatt PDF

Laden Sie IXFH88N30P PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFH88N30P - IXYS herunter.

Datenblätter
IXF(T,H,K)88N30P.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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