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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFH9N80
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXFH9N80 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFH9N80
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFH9N80
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 9A TO247AD
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IXFH(8,9)N80.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4780

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Anzahl

Spezifikation

IXFH9N80 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFH9N80 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFH9N80

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 2.5mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247AD (IXFH)  
Serie HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 180W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2600 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFH9  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFH9N80.

Produkteigenschaften IXFH9N80 IXFH88N20Q IXFH90N20X3 IXFH86N30T
Artikelnummer IXFH9N80 IXFH88N20Q IXFH90N20X3 IXFH86N30T
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Serie HiPerFET™ HiPerFET™, Q Class HiPerFET™, Ultra X3 HiPerFET™, Trench
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Tc) 88A (Tc) 90A (Tc) 86A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Grundproduktnummer IXFH9 IXFH88 IXFH90 IXFH86
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V 200 V 200 V 300 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 2.5mA 4V @ 4mA 4.5V @ 1.5mA 5V @ 4mA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2600 pF @ 25 V 4150 pF @ 25 V 5420 pF @ 25 V 11300 pF @ 25 V
Paket Tube Tube Tube Tube
Verlustleistung (max) 180W (Tc) 500W (Tc) 390W (Tc) 860W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247 (IXTH) TO-247AD (IXFH)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V 146 nC @ 10 V 78 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 500mA, 10V 30mOhm @ 44A, 10V 12.8mOhm @ 45A, 10V 43mOhm @ 43A, 10V

IXFH9N80 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFH9N80 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFH9N80 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXFH(8,9)N80.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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