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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFN90N30
IXYS
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IXFN90N30 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFN90N30
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFN90N30
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
IXFN90N30.pdf
vorrätig: 4360

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Spezifikation

IXFN90N30 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFN90N30 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFN90N30

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B  
Serie HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 45A, 10V  
Verlustleistung (max) 560W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 360 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 300 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 90A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFN90  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFN90N30.

Produkteigenschaften IXFN90N30 IXFN80N50Q2 IXFN80N60P3 IXFP12N50PM
Artikelnummer IXFN90N30 IXFN80N50Q2 IXFN80N60P3 IXFP12N50PM
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Through Hole
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC TO-220-3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10000 pF @ 25 V 12800 pF @ 25 V 13100 pF @ 25 V 1830 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA 4.5V @ 8mA 5V @ 8mA 5.5V @ 1mA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 300 V 500 V 600 V 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 360 nC @ 10 V 250 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 90A (Tc) 72A (Tc) 66A (Tc) 6A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±30V
Verlustleistung (max) 560W (Tc) 890W (Tc) 960W (Tc) 50W (Tc)
Grundproduktnummer IXFN90 IXFN80 IXFN80 IXFP12
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 45A, 10V 60mOhm @ 500mA, 10V 70mOhm @ 40A, 10V 500mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B SOT-227B SOT-227B TO-220-3
Paket Tube Tube Tube Tube
Serie HiPerFET™ HiPerFET™, Q2 Class HiPerFET™, Polar3™ HiPerFET™, Polar

IXFN90N30 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFN90N30 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFN90N30 - IXYS herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Devices OBS 24/Feb/2014.pdf
Datenblätter
IXFN90N30.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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