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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFP12N65X2M
IXFP12N65X2M Image
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IXFP12N65X2M - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFP12N65X2M
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFP12N65X2M
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 12A TO220
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Datenblatt
IXFP12N65X2M Datasheet.pdf
RoHS Status
vorrätig: 23234

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Anzahl

Spezifikation

IXFP12N65X2M Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFP12N65X2M Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFP12N65X2M

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220 Isolated Tab  
Serie HiPerFET™, Ultra X2  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 310mOhm @ 6A, 10V  
Verlustleistung (max) 40W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1134 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.5 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFP12  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFP12N65X2M.

Produkteigenschaften IXFP12N65X2M IXFP14N85X IXFP14N85XM IXFP10N60P
Artikelnummer IXFP12N65X2M IXFP14N85X IXFP14N85XM IXFP10N60P
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse TO-220 Isolated Tab TO-220AB (IXFP) TO-220 TO-220-3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1134 pF @ 25 V 1043 pF @ 25 V 1043 pF @ 25 V 1610 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.5 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 40W (Tc) 460W (Tc) 38W (Tc) 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 310mOhm @ 6A, 10V 550mOhm @ 500mA, 10V 550mOhm @ 7A, 10V 740mOhm @ 5A, 10V
Paket Tube Tube Tube Tube
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc) 14A (Tc) 14A (Tc) 10A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Serie HiPerFET™, Ultra X2 HiPerFET™, Ultra X HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Polar
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 850 V 850 V 600 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 TO-220-3 Full Pack TO-220-3
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5.5V @ 1mA 5.5V @ 1mA 5.5V @ 1mA
Grundproduktnummer IXFP12 IXFP14 IXFP14 IXFP10
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IXFP12N65X2M Datenblatt PDF

Laden Sie IXFP12N65X2M PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFP12N65X2M - IXYS herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Multiple Devices Molding Compound 07/Sep/2020.pdf
Datenblätter
IXFP12N65X2M Datasheet.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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