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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXKH70N60C5
IXKH70N60C5 Image
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IXKH70N60C5 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXKH70N60C5
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXKH70N60C5
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IXKH70N60C5.pdf
RoHS Status
vorrätig: 2583

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Spezifikation

IXKH70N60C5 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXKH70N60C5 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXKH70N60C5

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 3mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247AD  
Serie CoolMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 44A, 10V  
Verlustleistung (max) -  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6800 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 70A (Tc)  
Grundproduktnummer IXKH70  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXKH70N60C5.

Produkteigenschaften IXKH70N60C5 IXKN75N60C IXKR40N60C PMR290UNE,115
Artikelnummer IXKH70N60C5 IXKN75N60C IXKR40N60C PMR290UNE,115
Hersteller IXYS IXYS IXYS NXP USA Inc.
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 3mA 3.9V @ 5mA 3.9V @ 3mA 950mV @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse TO-247AD SOT-227B ISOPLUS247™ SC-75
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 SOT-227-4, miniBLOC TO-247-3 SC-75, SOT-416
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 44A, 10V 36mOhm @ 50A, 10V 70mOhm @ 25A, 10V 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±8V
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 600 V 20 V
Paket Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V 500 nC @ 10 V 250 nC @ 10 V 0.68 nC @ 4.5 V
Befestigungsart Through Hole Chassis Mount Through Hole Surface Mount
Verlustleistung (max) - 560W (Tc) - 250mW (Ta), 770mW (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™ -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 70A (Tc) 75A (Tc) 38A (Tc) 700mA (Ta)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6800 pF @ 100 V - - 83 pF @ 10 V
Grundproduktnummer IXKH70 IXKN75 IXKR40 PMR2
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 1.8V, 4.5V

IXKH70N60C5 Datenblatt PDF

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Datenblätter
IXKH70N60C5.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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