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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXKK85N60C
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXKK85N60C - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXKK85N60C
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXKK85N60C
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 85A TO264A
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-264-3, TO-264AA
Datenblatt
IXKK85N60C.pdf
RoHS Status
vorrätig: 856

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Anzahl

Spezifikation

IXKK85N60C Tech -Spezifikationen
IXYS - IXKK85N60C Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXKK85N60C

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-264AA  
Serie CoolMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 55A, 10V  
Verlustleistung (max) -  
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 650 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 85A (Tc)  
Grundproduktnummer IXKK85  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXKK85N60C.

Produkteigenschaften IXKK85N60C IXFT32N50 IXKH47N60C TSM35N10CP ROG
Artikelnummer IXKK85N60C IXFT32N50 IXKH47N60C TSM35N10CP ROG
Hersteller IXYS IXYS IXYS Taiwan Semiconductor Corporation
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 85A (Tc) 32A (Tc) 47A (Tc) 32A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 500 V 600 V 100 V
Verlustleistung (max) - 360W (Tc) - 83.3W (Tc)
Paket Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Supplier Device-Gehäuse TO-264AA TO-268AA TO-247AD TO-252, (D-Pak)
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-247-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 55A, 10V 150mOhm @ 15A, 10V 70mOhm @ 30A, 10V 37mOhm @ 10A, 10V
Serie CoolMOS™ HiPerFET™ CoolMOS™ -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 650 nC @ 10 V 300 nC @ 10 V 650 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer IXKK85 IXFT32 IXKH47 TSM35
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA 4V @ 4mA 4V @ 2mA 3V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

IXKK85N60C Datenblatt PDF

Laden Sie IXKK85N60C PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXKK85N60C - IXYS herunter.

Datenblätter
IXKK85N60C.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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