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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTH2N150L
IXTH2N150L Image
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IXTH2N150L - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTH2N150L
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTH2N150L
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 1500V 2A TO247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IXTH2N150L.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3606

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Anzahl

Spezifikation

IXTH2N150L Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTH2N150L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTH2N150L

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 8.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247 (IXTH)  
Serie Linear  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15Ohm @ 1A, 20V  
Verlustleistung (max) 290W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1470 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 20 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 20V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTH2  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTH2N150L.

Produkteigenschaften IXTH2N150L IXTH26P20P IXTH260N055T2 IXTH30N60P
Artikelnummer IXTH2N150L IXTH26P20P IXTH260N055T2 IXTH30N60P
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1470 pF @ 25 V 2740 pF @ 25 V 10800 pF @ 25 V 5050 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 20V 10V 10V 10V
VGS (th) (Max) @ Id 8.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 20 V 56 nC @ 10 V 140 nC @ 10 V 82 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A (Tc) 26A (Tc) 260A (Tc) 30A (Tc)
Verlustleistung (max) 290W (Tc) 300W (Tc) 480W (Tc) 540W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15Ohm @ 1A, 20V 170mOhm @ 13A, 10V 3.3mOhm @ 50A, 10V 240mOhm @ 15A, 10V
Paket Tube Tube Tube Tube
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1500 V 200 V 55 V 600 V
Serie Linear PolarP™ TrenchT2™ Polar
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer IXTH2 IXTH26 IXTH260 IXTH30
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±30V
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IXTH2N150L Datenblatt PDF

Laden Sie IXTH2N150L PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTH2N150L - IXYS herunter.

Datenblätter
IXTH2N150L.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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