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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTH32N65X
IXTH32N65X Image
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IXTH32N65X - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTH32N65X
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTH32N65X
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 32A TO247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IXTx32N65X.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5939

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Anzahl

Spezifikation

IXTH32N65X Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTH32N65X Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTH32N65X

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247 (IXTH)  
Serie Ultra X  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 135mOhm @ 16A, 10V  
Verlustleistung (max) 500W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2205 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 32A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTH32  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTH32N65X.

Produkteigenschaften IXTH32N65X IXTH34N65X2 IXTH40N50L2 IXTH30N60L2
Artikelnummer IXTH32N65X IXTH34N65X2 IXTH40N50L2 IXTH30N60L2
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Serie Ultra X Ultra X2 Linear L2™ Linear L2™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 32A (Tc) 34A (Tc) 40A (Tc) 30A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V 320 nC @ 10 V 335 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 500W (Tc) 540W (Tc) 540W (Tc) 540W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Paket Tube Tube Tube Tube
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2205 pF @ 25 V 3120 pF @ 25 V 10400 pF @ 25 V 10700 pF @ 25 V
Supplier Device-Gehäuse TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 135mOhm @ 16A, 10V 105mOhm @ 17A, 10V 170mOhm @ 20A, 10V 240mOhm @ 15A, 10V
Grundproduktnummer IXTH32 IXTH34 IXTH40 IXTH30
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 650 V 500 V 600 V
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA 4.5V @ 4mA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA

IXTH32N65X Datenblatt PDF

Laden Sie IXTH32N65X PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTH32N65X - IXYS herunter.

Datenblätter
IXTx32N65X.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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