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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTR200N10P
IXTR200N10P Image
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IXTR200N10P - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTR200N10P
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTR200N10P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 120A ISOPLUS247
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IXTR200N10P.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 2101

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Spezifikation

IXTR200N10P Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTR200N10P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTR200N10P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 500µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse ISOPLUS247™  
Serie Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 60A, 10V  
Verlustleistung (max) 300W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7600 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 235 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTR200  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTR200N10P.

Produkteigenschaften IXTR200N10P IXTU01N100D IXTT02N450HV IXTQ96N25T
Artikelnummer IXTR200N10P IXTU01N100D IXTT02N450HV IXTQ96N25T
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc) 400mA (Tc) 200mA (Tc) 96A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-3P-3, SC-65-3
FET-Merkmal - Depletion Mode - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 0V 10V 10V
Verlustleistung (max) 300W (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) 113W (Tc) 625W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse ISOPLUS247™ TO-251AA TO-268AA TO-3P
Paket Tube Tube Tube Tube
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 500µA 4.5V @ 25µA 6.5V @ 250µA 5V @ 1mA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7600 pF @ 25 V 100 pF @ 25 V 256 pF @ 25 V 6100 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 60A, 10V 80Ohm @ 50mA, 0V 750Ohm @ 10mA, 10V 29mOhm @ 500mA, 10V
Serie Polar Depletion - Trench
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 235 nC @ 10 V 5.8 nC @ 5 V 10.4 nC @ 10 V 114 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 1000 V 4500 V 250 V
Grundproduktnummer IXTR200 IXTU01 IXTT02 IXTQ96
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V

IXTR200N10P Datenblatt PDF

Laden Sie IXTR200N10P PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTR200N10P - IXYS herunter.

Datenblätter
IXTR200N10P.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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