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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTT12N150HV
IXTT12N150HV Image
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IXTT12N150HV - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTT12N150HV
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTT12N150HV
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 1500V 12A TO268
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Datenblatt
IXTT12N150HV.pdf
RoHS Status
vorrätig: 811

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Spezifikation

IXTT12N150HV Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTT12N150HV Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTT12N150HV

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-268AA  
Serie -  
Verlustleistung (max) 890W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3720 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 106 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTT12  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTT12N150HV.

Produkteigenschaften IXTT12N150HV IXTT170N10P IXTU12N06T IXTQ88N30P
Artikelnummer IXTT12N150HV IXTT170N10P IXTU12N06T IXTQ88N30P
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 890W (Tc) 715W (Tc) 33W (Tc) 600W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-268AA TO-268AA TO-251AA TO-3P
Paket Tube Tube Tube Tube
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc) 170A (Tc) 12A (Tc) 88A (Tc)
Grundproduktnummer IXTT12 IXTT170 IXTU12 IXTQ88
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verpackung / Gehäuse TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-3P-3, SC-65-3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3720 pF @ 25 V 6000 pF @ 25 V 256 pF @ 25 V 6300 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 25µA 5V @ 250µA
Serie - Polar Trench Polar
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1500 V 100 V 60 V 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 106 nC @ 10 V 198 nC @ 10 V 3.4 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V

IXTT12N150HV Datenblatt PDF

Laden Sie IXTT12N150HV PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTT12N150HV - IXYS herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev MSL3 Pkg Chg 9/Jun/2020.pdf
PCN -Verpackung
Multiple Devices MSL 09/Jun/2020.pdf
Datenblätter
IXTT12N150HV.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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