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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-IGBTs-ModuleMII100-12A3
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

MII100-12A3 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
MII100-12A3
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-MII100-12A3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IGBT MODULE 1200V 135A 560W Y4M5
detaillierte Beschreibung
Verpackung
Y4-M5
Datenblatt
MII100-12A3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4240

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Anzahl

Spezifikation

MII100-12A3 Tech -Spezifikationen
IXYS - MII100-12A3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - MII100-12A3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 1200 V  
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 75A  
Supplier Device-Gehäuse Y4-M5  
Serie -  
Leistung - max 560 W  
Verpackung / Gehäuse Y4-M5  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
NTC-Thermistor No  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingangskapazität (Cíes) @ VCE 5.5 nF @ 25 V  
Eingang Standard  
IGBT-Typ NPT  
Strom - Collector Cutoff (Max) 5 mA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 135 A  
Konfiguration Half Bridge  
Grundproduktnummer MII100  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS MII100-12A3.

Produkteigenschaften MII100-12A3 APTGT75SK120TG MII300-12E4 MUBW100-06A8
Artikelnummer MII100-12A3 APTGT75SK120TG MII300-12E4 MUBW100-06A8
Hersteller IXYS Microchip Technology IXYS IXYS
NTC-Thermistor No Yes No Yes
Strom - Kollektor (Ic) (max) 135 A 110 A 280 A 125 A
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 1200 V 1200 V 1200 V 600 V
Strom - Collector Cutoff (Max) 5 mA 250 µA 3.3 mA 1.4 mA
Konfiguration Half Bridge Single Half Bridge Three Phase Inverter with Brake
Eingang Standard Standard Standard Three Phase Bridge Rectifier
Supplier Device-Gehäuse Y4-M5 SP4 Y3-Li E3
Serie - - - -
Paket Bulk Bulk Box Box
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 75A 2.1V @ 15V, 75A 2.8V @ 15V, 200A 2.5V @ 15V, 100A
Verpackung / Gehäuse Y4-M5 SP4 Y3-Li E3
Eingangskapazität (Cíes) @ VCE 5.5 nF @ 25 V 5.34 nF @ 25 V 11 nF @ 25 V 4.3 nF @ 25 V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TJ)
IGBT-Typ NPT Trench Field Stop NPT NPT
Leistung - max 560 W 357 W 1100 W 410 W
Grundproduktnummer MII100 APTGT75 MII MUBW

MII100-12A3 Datenblatt PDF

Laden Sie MII100-12A3 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für MII100-12A3 - IXYS herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev OBS 13/Jun/2022.pdf
Datenblätter
MII100-12A3.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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