VWM270-0075X2 Tech -Spezifikationen
IXYS - VWM270-0075X2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - VWM270-0075X2

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Hersteller	IXYS Corporation
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 500µA
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	V2-PAK
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.1mOhm @ 100A, 10V
Leistung - max	-
Verpackung / Gehäuse	V2-PAK
Paket	Box

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Betriebstemperatur	-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	360nC @ 10V
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	75V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	270A
Konfiguration	6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Grundproduktnummer	VWM270

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS VWM270-0075X2.

Produkteigenschaften
Artikelnummer	VWM270-0075X2	PMDPB70EN,115	SI4952DY-T1-GE3	VWM200-01P
Hersteller	IXYS	Nexperia USA Inc.	Vishay Siliconix	IXYS
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-	130pF @ 15V	680pF @ 13V	-
FET-Merkmal	-	Logic Level Gate	Logic Level Gate	-
Serie	-	-	TrenchFET®	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.1mOhm @ 100A, 10V	57mOhm @ 3.5A, 10V	23mOhm @ 7A, 10V	5.2mOhm @ 100A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 500µA	2.5V @ 250µA	2.2V @ 250µA	4V @ 2mA
Betriebstemperatur	-40°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-40°C ~ 175°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse	V2-PAK	6-UFDFN Exposed Pad	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	V2-PAK
Paket	Box	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Box
Konfiguration	6 N-Channel (3-Phase Bridge)	2 N-Channel (Dual)	2 N-Channel (Dual)	6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Supplier Device-Gehäuse	V2-PAK	6-HUSON (2x2)	8-SOIC	V2-PAK
Leistung - max	-	510mW	2.8W	-
Grundproduktnummer	VWM270	PMDPB70	SI4952	VWM200
Drain-Source-Spannung (Vdss)	75V	30V	25V	100V
Befestigungsart	Chassis Mount	Surface Mount	Surface Mount	Chassis Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	270A	3.5A	8A	210A
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	360nC @ 10V	4.5nC @ 10V	18nC @ 10V	430nC @ 10V

VWM270-0075X2 Datenblatt PDF

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Datenblätter: VWM270-0075X2.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region	Land	Logistische Zeit (Tag)
Amerika	Vereinigte Staaten	5
Amerika	Brasilien	7
Europa	Deutschland	5
	Großbritannien	4
	Italien	5
Ozeanien	Australien	6
Ozeanien	Neuseeland	5
Asien	Indien	4
Asien	Japan	4
Naher Osten	Israel	6

DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG)	Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

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