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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysVWM200-01P
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

VWM200-01P - IXYS

Hersteller Artikelnummer
VWM200-01P
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-VWM200-01P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 6N-CH 100V 210A V2
detaillierte Beschreibung
Verpackung
V2-PAK
Datenblatt
VWM200-01P.pdf
vorrätig: 3850

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Spezifikation

VWM200-01P Tech -Spezifikationen
IXYS - VWM200-01P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - VWM200-01P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 2mA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse V2-PAK  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.2mOhm @ 100A, 10V  
Leistung - max -  
Verpackung / Gehäuse V2-PAK  
Paket Box  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds -  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 430nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 210A  
Konfiguration 6 N-Channel (3-Phase Bridge)  
Grundproduktnummer VWM200  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS VWM200-01P.

Produkteigenschaften VWM200-01P FDMS3669S FDPC8011S AO6602L
Artikelnummer VWM200-01P FDMS3669S FDPC8011S AO6602L
Hersteller IXYS onsemi onsemi Alpha & Omega Semiconductor Inc.
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 2mA 2.7V @ 250µA 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA 3V @ 250µA
Grundproduktnummer VWM200 FDMS3669 FDPC8 AO660
Befestigungsart Chassis Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Box Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds - 1605pF @ 15V 1240pF @ 13V, 4335pF @ 13V 240pF @ 15V
Verpackung / Gehäuse V2-PAK 8-PowerTDFN 8-PowerWDFN SC-74, SOT-457
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 430nC @ 10V 24nC @ 10V 19nC @ 10V, 64nC @ 10V 8.5nC @ 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V 30V 25V 30V
Supplier Device-Gehäuse V2-PAK Power56 Powerclip-33 6-TSOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 210A 13A, 18A 13A (Ta), 20A (Tc), 27A (Ta), 60A (Tc) -
FET-Merkmal - Logic Level Gate - Logic Level Gate
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Leistung - max - 1W 800mW (Ta), 900mW (Ta) 1.15W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.2mOhm @ 100A, 10V 10mOhm @ 13A, 10V 6mOhm @ 13A, 10V, 1.8mOhm @ 27A, 10V 75mOhm @ 3.1A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical N and P-Channel Complementary
Serie - PowerTrench® PowerTrench® -

VWM200-01P Datenblatt PDF

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Datenblätter
VWM200-01P.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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    +00852 9146 4856

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