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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-Einzel2SAR512PT100
Rohm Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

2SAR512PT100 - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
2SAR512PT100
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-2SAR512PT100
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PNP 30V 2A MPT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-243AA
Datenblatt
2SAR512PT100.pdf
RoHS Status
vorrätig: 245320

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Anzahl

Spezifikation

2SAR512PT100 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - 2SAR512PT100 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - 2SAR512PT100

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 30 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 35mA, 700mA  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse MPT3  
Serie -  
Leistung - max 2 W  
Verpackung / Gehäuse TO-243AA  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 430MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 200 @ 100mA, 2V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 2 A  
Grundproduktnummer 2SAR512  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor 2SAR512PT100.

Produkteigenschaften 2SAR512PT100 2SAR513PT100 2SAR502UBTL 2SAR512PFRAT100
Artikelnummer 2SAR512PT100 2SAR513PT100 2SAR502UBTL 2SAR512PFRAT100
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Serie - - - Automotive, AEC-Q101
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 35mA, 700mA 400mV @ 25mA, 500mA 400mV @ 10mA, 200mA 400mV @ 35mA, 700mA
Transistor-Typ PNP PNP PNP PNP
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 200 @ 100mA, 2V 180 @ 50mA, 2V 200 @ 100mA, 2V 200 @ 100mA, 2V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Frequenz - Übergang 430MHz 400MHz 520MHz 430MHz
Grundproduktnummer 2SAR512 2SAR513 2SAR502 2SAR512
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO) 1µA (ICBO) 200nA (ICBO) 1µA (ICBO)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 30 V 50 V 30 V 30 V
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Strom - Kollektor (Ic) (max) 2 A 1 A 500 mA 2 A
Supplier Device-Gehäuse MPT3 MPT3 UMT3F MPT3
Leistung - max 2 W 2 W 200 mW 500 mW
Verpackung / Gehäuse TO-243AA TO-243AA SC-85 TO-243AA

2SAR512PT100 Datenblatt PDF

Laden Sie 2SAR512PT100 PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für 2SAR512PT100 - Rohm Semiconductor herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Devices Marking 16/Apr/2018.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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