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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-Einzel2SAR513PT100
Rohm Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

2SAR513PT100 - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
2SAR513PT100
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-2SAR513PT100
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PNP 50V 1A MPT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-243AA
Datenblatt
2SAR513PT100.pdf
RoHS Status
vorrätig: 39100

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Anzahl

Spezifikation

2SAR513PT100 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - 2SAR513PT100 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - 2SAR513PT100

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 25mA, 500mA  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse MPT3  
Serie -  
Leistung - max 2 W  
Verpackung / Gehäuse TO-243AA  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 400MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 180 @ 50mA, 2V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 1 A  
Grundproduktnummer 2SAR513  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor 2SAR513PT100.

Produkteigenschaften 2SAR513PT100 2SAR512RTL 2SAR512PT100 2SAR514PT100
Artikelnummer 2SAR513PT100 2SAR512RTL 2SAR512PT100 2SAR514PT100
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Grundproduktnummer 2SAR513 2SAR512 2SAR512 2SAR514
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 25mA, 500mA 400mV @ 35mA, 700mA 400mV @ 35mA, 700mA 400mV @ 15mA, 300mA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 1 A 2 A 2 A 700 mA
Transistor-Typ PNP PNP PNP PNP
Serie - - - -
Leistung - max 2 W 1 W 2 W 2 W
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO) 1µA (ICBO) 1µA (ICBO) 1µA (ICBO)
Supplier Device-Gehäuse MPT3 TSMT3 MPT3 MPT3
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 180 @ 50mA, 2V 200 @ 100mA, 2V 200 @ 100mA, 2V 120 @ 100mA, 3V
Frequenz - Übergang 400MHz 430MHz 430MHz 380MHz
Verpackung / Gehäuse TO-243AA SC-96 TO-243AA TO-243AA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 30 V 30 V 80 V

2SAR513PT100 Datenblatt PDF

Laden Sie 2SAR513PT100 PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für 2SAR513PT100 - Rohm Semiconductor herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Devices Marking 16/Apr/2018.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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