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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-Einzel2SCR513P5T100
Rohm Semiconductor
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2SCR513P5T100 - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
2SCR513P5T100
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-2SCR513P5T100
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 50V 1A MPT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-243AA
Datenblatt
MPT3 T100 Taping Spec.pdf
RoHS Status
vorrätig: 168540

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Anzahl

Spezifikation

2SCR513P5T100 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - 2SCR513P5T100 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - 2SCR513P5T100

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 350mV @ 25mA, 500mA  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse MPT3  
Serie -  
Leistung - max 500 mW  
Verpackung / Gehäuse TO-243AA  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 360MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 180 @ 50mA, 2V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 1 A  
Grundproduktnummer 2SCR513  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor 2SCR513P5T100.

Produkteigenschaften 2SCR513P5T100 2SCR514P5T100 2SCR513RTL 2SCR512PFRAT100
Artikelnummer 2SCR513P5T100 2SCR514P5T100 2SCR513RTL 2SCR512PFRAT100
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 180 @ 50mA, 2V 120 @ 100mA, 3V 180 @ 50mA, 2V 200 @ 100mA, 2V
Leistung - max 500 mW 500 mW 500 mW 500 mW
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 350mV @ 25mA, 500mA 300mV @ 15mA, 300mA 350mV @ 25mA, 500mA 400mV @ 35mA, 700mA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 1 A 700 mA 1 A 2 A
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 80 V 50 V 30 V
Serie - - - Automotive, AEC-Q101
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO) 1µA (ICBO) 1µA (ICBO) 1µA (ICBO)
Transistor-Typ NPN NPN NPN NPN
Supplier Device-Gehäuse MPT3 MPT3 TSMT3 MPT3
Frequenz - Übergang 360MHz 320MHz 360MHz 320MHz
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse TO-243AA TO-243AA SC-96 TO-243AA
Grundproduktnummer 2SCR513 2SCR514 2SCR513 2SCR512

2SCR513P5T100 Datenblatt PDF

Laden Sie 2SCR513P5T100 PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für 2SCR513P5T100 - Rohm Semiconductor herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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