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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-Einzel2SCR513PT100
Rohm Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

2SCR513PT100 - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
2SCR513PT100
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-2SCR513PT100
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 50V 1A MPT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-243AA
Datenblatt
2SCR513PT100.pdf
RoHS Status
vorrätig: 147090

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Anzahl

Spezifikation

2SCR513PT100 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - 2SCR513PT100 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - 2SCR513PT100

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 350mV @ 25mA, 500mA  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse MPT3  
Serie -  
Leistung - max 2 W  
Verpackung / Gehäuse TO-243AA  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 360MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 180 @ 50mA, 2V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 1 A  
Grundproduktnummer 2SCR513  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor 2SCR513PT100.

Produkteigenschaften 2SCR513PT100 2SCR512PT100 2SCR512P5T100 2SCR513RTL
Artikelnummer 2SCR513PT100 2SCR512PT100 2SCR512P5T100 2SCR513RTL
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Verpackung / Gehäuse TO-243AA TO-243AA TO-243AA SC-96
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 350mV @ 25mA, 500mA 400mV @ 35mA, 700mA 400mV @ 35mA, 700mA 350mV @ 25mA, 500mA
Grundproduktnummer 2SCR513 2SCR512 2SCR512 2SCR513
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO) 1µA (ICBO) 1µA (ICBO) 1µA (ICBO)
Frequenz - Übergang 360MHz 320MHz 320MHz 360MHz
Supplier Device-Gehäuse MPT3 MPT3 MPT3 TSMT3
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 30 V 30 V 50 V
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie - - - -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 180 @ 50mA, 2V 200 @ 100mA, 2V 200 @ 100mA, 2V 180 @ 50mA, 2V
Transistor-Typ NPN NPN NPN NPN
Leistung - max 2 W 2 W 500 mW 500 mW
Strom - Kollektor (Ic) (max) 1 A 2 A 2 A 1 A

2SCR513PT100 Datenblatt PDF

Laden Sie 2SCR513PT100 PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für 2SCR513PT100 - Rohm Semiconductor herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Devices Marking 16/Apr/2018.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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