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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-Einzel2SCR523EBTL
Rohm Semiconductor
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2SCR523EBTL - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
2SCR523EBTL
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-2SCR523EBTL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 50V 0.1A EMT3F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-89, SOT-490
Datenblatt
DTA114EEFRA.pdf
RoHS Status
vorrätig: 456750

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Spezifikation

2SCR523EBTL Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - 2SCR523EBTL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - 2SCR523EBTL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 50mA  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse EMT3F (SOT-416FL)  
Serie -  
Leistung - max 150 mW  
Verpackung / Gehäuse SC-89, SOT-490  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 350MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 120 @ 1mA, 6V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer 2SCR523  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor 2SCR523EBTL.

Produkteigenschaften 2SCR523EBTL 2SCR522EBTL 2SCR523MT2L 2SCR523UBTL
Artikelnummer 2SCR523EBTL 2SCR522EBTL 2SCR523MT2L 2SCR523UBTL
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 120 @ 1mA, 6V 120 @ 1mA, 2V 120 @ 1mA, 6V 120 @ 1mA, 6V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 50mA 300mV @ 10mA, 100mA 300mV @ 5mA, 50mA 300mV @ 5mA, 50mA
Grundproduktnummer 2SCR523 2SCR522 2SCR523 2SCR523
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 200 mA 100 mA 100 mA
Verpackung / Gehäuse SC-89, SOT-490 SC-89, SOT-490 SOT-723 SC-85
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Transistor-Typ NPN NPN NPN NPN
Serie - - - -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 20 V 50 V 50 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO)
Leistung - max 150 mW 150 mW 150 mW 200 mW
Supplier Device-Gehäuse EMT3F (SOT-416FL) EMT3F (SOT-416FL) VMT3 UMT3F
Frequenz - Übergang 350MHz 400MHz 350MHz 350MHz

2SCR523EBTL Datenblatt PDF

Laden Sie 2SCR523EBTL PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für 2SCR523EBTL - Rohm Semiconductor herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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