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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-Einzel2SCR523UBTL
Rohm Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

2SCR523UBTL - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
2SCR523UBTL
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-2SCR523UBTL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 50V 0.1A UMT3F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-85
Datenblatt
UMT3 T106 Taping Spec.pdf
RoHS Status
vorrätig: 778250

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Anzahl

Spezifikation

2SCR523UBTL Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - 2SCR523UBTL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - 2SCR523UBTL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 50mA  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse UMT3F  
Serie -  
Leistung - max 200 mW  
Verpackung / Gehäuse SC-85  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 350MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 120 @ 1mA, 6V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer 2SCR523  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor 2SCR523UBTL.

Produkteigenschaften 2SCR523UBTL 2SCR523MT2L 2SCR533PT100 2SCR522MT2L
Artikelnummer 2SCR523UBTL 2SCR523MT2L 2SCR533PT100 2SCR522MT2L
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 100 mA 3 A 200 mA
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 120 @ 1mA, 6V 120 @ 1mA, 6V 180 @ 50mA, 3V 120 @ 1mA, 2V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse UMT3F VMT3 MPT3 VMT3
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Transistor-Typ NPN NPN NPN NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V 50 V 20 V
Frequenz - Übergang 350MHz 350MHz 320MHz 400MHz
Verpackung / Gehäuse SC-85 SOT-723 TO-243AA SOT-723
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 50mA 300mV @ 5mA, 50mA 350mV @ 50mA, 1A 300mV @ 10mA, 100mA
Serie - - - -
Grundproduktnummer 2SCR523 2SCR523 2SCR533 2SCR522
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 1µA (ICBO) 100nA (ICBO)
Leistung - max 200 mW 150 mW 2 W 150 mW
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)

2SCR523UBTL Datenblatt PDF

Laden Sie 2SCR523UBTL PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für 2SCR523UBTL - Rohm Semiconductor herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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