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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedDTA015EUBTL
Rohm Semiconductor
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DTA015EUBTL - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
DTA015EUBTL
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-DTA015EUBTL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W UMT3F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-85
Datenblatt
UMT3 T106 Taping Spec.pdf
RoHS Status
vorrätig: 876750

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Anzahl

Spezifikation

DTA015EUBTL Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - DTA015EUBTL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - DTA015EUBTL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 5mA  
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse UMT3F  
Serie DTA015E  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 100 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 100 kOhms  
Leistung - max 200 mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SC-85  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250 MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 5mA, 10V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer DTA015  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor DTA015EUBTL.

Produkteigenschaften DTA015EUBTL DTA023JUBTL DTA014YEBTL DTA024EEBTL
Artikelnummer DTA015EUBTL DTA023JUBTL DTA014YEBTL DTA024EEBTL
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Grundproduktnummer DTA015 DTA023 DTA014 DTA024
Serie DTA015E - - DTA024E
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V 50 V 50 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse SC-85 SC-85 SC-89, SOT-490 SC-89, SOT-490
Frequenz - Übergang 250 MHz 250 MHz 250 MHz 250 MHz
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased
Leistung - max 200 mW 200 mW 150 mW 150 mW
Widerstand - Emitterbasis (R2) 100 kOhms 47 kOhms 47 kOhms 22 kOhms
Supplier Device-Gehäuse UMT3F UMT3F EMT3F (SOT-416FL) EMT3F (SOT-416FL)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 100 mA 70 mA 100 mA
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 5mA 150mV @ 500µA, 5mA 150mV @ 500µA, 5mA 150mV @ 500µA, 5mA
Widerstand - Basis (R1) 100 kOhms 2.2 kOhms 10 kOhms 22 kOhms
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO) - - 500nA
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 5mA, 10V 80 @ 5mA, 10V 80 @ 5mA, 10V 60 @ 5mA, 10V

DTA015EUBTL Datenblatt PDF

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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