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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedDTA023JUBTL
Rohm Semiconductor
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DTA023JUBTL - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
DTA023JUBTL
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-DTA023JUBTL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W UMT3F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-85
Datenblatt
UMT3 T106 Taping Spec.pdf
RoHS Status
vorrätig: 797400

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Anzahl

Spezifikation

DTA023JUBTL Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - DTA023JUBTL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - DTA023JUBTL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 5mA  
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse UMT3F  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms  
Leistung - max 200 mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SC-85  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250 MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 5mA, 10V  
Strom - Collector Cutoff (Max) -  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer DTA023  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor DTA023JUBTL.

Produkteigenschaften DTA023JUBTL DTA043EMT2L DTA023JEBTL DTA023EUBTL
Artikelnummer DTA023JUBTL DTA043EMT2L DTA023JEBTL DTA023EUBTL
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Frequenz - Übergang 250 MHz 250 MHz 250 MHz 250 MHz
Leistung - max 200 mW 150 mW 150 mW 200 mW
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 5mA 150mV @ 500µA, 5mA 150mV @ 500µA, 5mA 250mV @ 1mA, 10mA
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 5mA, 10V 20 @ 5mA, 10V 80 @ 5mA, 10V 20 @ 20mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max) - 500nA - 100mA
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms 4.7 kOhms 2.2 kOhms 2.2 kOhms
Verpackung / Gehäuse SC-85 SOT-723 SC-89, SOT-490 SC-85
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased + Diode PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased + Diode
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47 kOhms 4.7 kOhms 47 kOhms 2.2 kOhms
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer DTA023 DTA043 DTA023 DTA023
Serie - DTA043E - DTA023E
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V 50 V 50 V
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 100 mA 100 mA 100 mA
Supplier Device-Gehäuse UMT3F VMT3 EMT3F (SOT-416FL) UMT3F
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

DTA023JUBTL Datenblatt PDF

Laden Sie DTA023JUBTL PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für DTA023JUBTL - Rohm Semiconductor herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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