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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedDTA143EEBTL
Rohm Semiconductor
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DTA143EEBTL - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
DTA143EEBTL
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-DTA143EEBTL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-89, SOT-490
Datenblatt
DTA114EEFRA.pdf
RoHS Status
vorrätig: 686350

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Anzahl

Spezifikation

DTA143EEBTL Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - DTA143EEBTL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - DTA143EEBTL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA  
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased + Diode  
Supplier Device-Gehäuse EMT3F (SOT-416FL)  
Serie DTA143E  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 4.7 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms  
Leistung - max 150 mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SC-89, SOT-490  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250 MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 30 @ 10mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer DTA143  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor DTA143EEBTL.

Produkteigenschaften DTA143EEBTL DTA143EETL DTA143EE DTA143EET1G
Artikelnummer DTA143EEBTL DTA143EETL DTA143EE DTA143EET1G
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Yangjie Technology onsemi
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 100 mA 100 mA 100 mA
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA 500nA
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased + Diode PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased + Diode PNP - Pre-Biased
Grundproduktnummer DTA143 DTA143 DTA143 DTA143
Serie DTA143E - - -
Leistung - max 150 mW 150 mW 150 mW 200 mW
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA 250mV @ 1mA, 10mA
Widerstand - Emitterbasis (R2) 4.7 kOhms 4.7 kOhms - 4.7 kOhms
Frequenz - Übergang 250 MHz 250 MHz 250 MHz -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms 4.7 kOhms 4.7 kOhms 4.7 kOhms
Verpackung / Gehäuse SC-89, SOT-490 SC-75, SOT-416 SOT-523 SC-75, SOT-416
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 30 @ 10mA, 5V 30 @ 10mA, 5V 30 @ 10mA, 5V 15 @ 5mA, 10V
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V 50 V 50 V
Supplier Device-Gehäuse EMT3F (SOT-416FL) EMT3 SOT-523 SC-75, SOT-416

DTA143EEBTL Datenblatt PDF

Laden Sie DTA143EEBTL PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für DTA143EEBTL - Rohm Semiconductor herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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