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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedDTA143EETL
Rohm Semiconductor
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DTA143EETL - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
DTA143EETL
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-DTA143EETL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3
Verpackung
SC-75, SOT-416
Datenblatt
DTA114EEFRA.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 462700

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Spezifikation

DTA143EETL Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - DTA143EETL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - DTA143EETL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA  
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse EMT3  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 4.7 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms  
Leistung - max 150 mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SC-75, SOT-416  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250 MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 30 @ 10mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer DTA143  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor DTA143EETL.

Produkteigenschaften DTA143EETL DTA143ECA DTA143EET1G DTA143EE
Artikelnummer DTA143EETL DTA143ECA DTA143EET1G DTA143EE
Hersteller Rohm Semiconductor Yangjie Technology onsemi Yangjie Technology
Grundproduktnummer DTA143 DTA143 DTA143 DTA143
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V 50 V 50 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms 4.7 kOhms 4.7 kOhms 4.7 kOhms
Leistung - max 150 mW 200 mW 200 mW 150 mW
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA 250mV @ 1mA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA
Frequenz - Übergang 250 MHz 250 MHz - 250 MHz
Widerstand - Emitterbasis (R2) 4.7 kOhms - 4.7 kOhms -
Serie - - - -
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA 500nA
Verpackung / Gehäuse SC-75, SOT-416 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-75, SOT-416 SOT-523
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased + Diode PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased + Diode
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 100 mA 100 mA 100 mA
Supplier Device-Gehäuse EMT3 SOT-23 SC-75, SOT-416 SOT-523
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 30 @ 10mA, 5V 30 @ 10mA, 5V 15 @ 5mA, 10V 30 @ 10mA, 5V

DTA143EETL Datenblatt PDF

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DTA114EEFRA.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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