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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedDTB123ESTP
Rohm Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DTB123ESTP - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
DTB123ESTP
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-DTB123ESTP
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-72 Formed Leads
Datenblatt
DTB123Ex.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5270

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Spezifikation

DTB123ESTP Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - DTB123ESTP Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - DTB123ESTP

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA  
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse SPT  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 2.2 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms  
Leistung - max 300 mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SC-72 Formed Leads  
Paket Tape & Box (TB)  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang 200 MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 39 @ 50mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500 mA  
Grundproduktnummer DTB123  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor DTB123ESTP.

Produkteigenschaften DTB123ESTP DTB123EKT146 DTB123TKT146 DTB123YKT146
Artikelnummer DTB123ESTP DTB123EKT146 DTB123TKT146 DTB123YKT146
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 39 @ 50mA, 5V 39 @ 50mA, 5V 100 @ 50mA, 5V 56 @ 50mA, 5V
Frequenz - Übergang 200 MHz 200 MHz 200 MHz 200 MHz
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA 300mV @ 2.5mA, 50mA 300mV @ 2.5mA, 50mA 300mV @ 2.5mA, 50mA
Paket Tape & Box (TB) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse SPT SMT3 SMT3 SMT3
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms 2.2 kOhms 2.2 kOhms 2.2 kOhms
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer DTB123 DTB123 DTB123 DTB123
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V 40 V 50 V
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA (ICBO) 500nA
Verpackung / Gehäuse SC-72 Formed Leads TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased
Serie - - - -
Widerstand - Emitterbasis (R2) 2.2 kOhms 2.2 kOhms - 10 kOhms
Leistung - max 300 mW 200 mW 200 mW 200 mW
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500 mA 500 mA 500 mA 500 mA

DTB123ESTP Datenblatt PDF

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Datenblätter
DTB123Ex.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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