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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedDTB123YKT146
Rohm Semiconductor
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DTB123YKT146 - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
DTB123YKT146
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-DTB123YKT146
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
SMT3 T146 Taping Spec.pdf
RoHS Status
vorrätig: 241070

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Anzahl

Spezifikation

DTB123YKT146 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - DTB123YKT146 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - DTB123YKT146

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA  
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse SMT3  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms  
Leistung - max 200 mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 200 MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 56 @ 50mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500 mA  
Grundproduktnummer DTB123  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor DTB123YKT146.

Produkteigenschaften DTB123YKT146 DTB123EKT146 DTB143ECT216 DTB123ESTP
Artikelnummer DTB123YKT146 DTB123EKT146 DTB143ECT216 DTB123ESTP
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased - PNP - Pre-Biased
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-72 Formed Leads
Grundproduktnummer DTB123 DTB123 DTB143 DTB123
Supplier Device-Gehäuse SMT3 SMT3 SST3 SPT
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 56 @ 50mA, 5V 39 @ 50mA, 5V 47 @ 50mA, 5V 39 @ 50mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500µA (ICBO) 500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500 mA 500 mA - 500 mA
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms 2.2 kOhms - 2.2 kOhms
Leistung - max 200 mW 200 mW - 300 mW
Frequenz - Übergang 200 MHz 200 MHz - 200 MHz
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA 300mV @ 2.5mA, 50mA 300mV @ 2.5mA, 50mA 300mV @ 2.5mA, 50mA
Serie - - - -
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms 2.2 kOhms - 2.2 kOhms
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V - 50 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Box (TB)

DTB123YKT146 Datenblatt PDF

Laden Sie DTB123YKT146 PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für DTB123YKT146 - Rohm Semiconductor herunter.

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SMT3 T146 Taping Spec.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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