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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedDTB123YUT106
Rohm Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DTB123YUT106 - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
DTB123YUT106
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-DTB123YUT106
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-70, SOT-323
Datenblatt
UMT3 T106 Taping Spec.pdf
RoHS Status
vorrätig: 420130

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Anzahl

Spezifikation

DTB123YUT106 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - DTB123YUT106 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - DTB123YUT106

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA  
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse UMT3  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms  
Leistung - max 200 mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 200 MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 56 @ 50mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500 mA  
Grundproduktnummer DTB123  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor DTB123YUT106.

Produkteigenschaften DTB123YUT106 DTB143EKT146 DTB123YKT146 DTB123TKT146
Artikelnummer DTB123YUT106 DTB143EKT146 DTB123YKT146 DTB123TKT146
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Frequenz - Übergang 200 MHz 200 MHz 200 MHz 200 MHz
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms 4.7 kOhms 10 kOhms -
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device-Gehäuse UMT3 SMT3 SMT3 SMT3
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA 300mV @ 2.5mA, 50mA 300mV @ 2.5mA, 50mA 300mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA 500nA (ICBO)
Serie - - - -
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms 4.7 kOhms 2.2 kOhms 2.2 kOhms
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 56 @ 50mA, 5V 47 @ 50mA, 5V 56 @ 50mA, 5V 100 @ 50mA, 5V
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V 50 V 40 V
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500 mA 500 mA 500 mA 500 mA
Leistung - max 200 mW 200 mW 200 mW 200 mW
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer DTB123 DTB143 DTB123 DTB123

DTB123YUT106 Datenblatt PDF

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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