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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedDTB143ESTP
Rohm Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DTB143ESTP - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
DTB143ESTP
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-DTB143ESTP
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-72 Formed Leads
Datenblatt
DTB143Ex.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4020

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Anzahl

Spezifikation

DTB143ESTP Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - DTB143ESTP Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - DTB143ESTP

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA  
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse SPT  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 4.7 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms  
Leistung - max 300 mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SC-72 Formed Leads  
Paket Tape & Box (TB)  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang 200 MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 47 @ 50mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500 mA  
Grundproduktnummer DTB143  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor DTB143ESTP.

Produkteigenschaften DTB143ESTP DTB143ECT216 DTB143EKT146 DTB513ZETL
Artikelnummer DTB143ESTP DTB143ECT216 DTB143EKT146 DTB513ZETL
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Supplier Device-Gehäuse SPT SST3 SMT3 EMT3
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Box (TB) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500 mA - 500 mA 500 mA
Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms - 4.7 kOhms 1 kOhms
Serie - - - -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA 300mV @ 2.5mA, 50mA 300mV @ 2.5mA, 50mA 300mV @ 5mA, 100mA
Widerstand - Emitterbasis (R2) 4.7 kOhms - 4.7 kOhms 10 kOhms
Grundproduktnummer DTB143 DTB143 DTB143 DTB513
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 47 @ 50mA, 5V 47 @ 50mA, 5V 47 @ 50mA, 5V 140 @ 100mA, 2V
Frequenz - Übergang 200 MHz - 200 MHz 260 MHz
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V - 50 V 12 V
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500µA (ICBO) 500nA 500nA
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased - PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased
Verpackung / Gehäuse SC-72 Formed Leads TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-75, SOT-416
Leistung - max 300 mW - 200 mW 150 mW

DTB143ESTP Datenblatt PDF

Laden Sie DTB143ESTP PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für DTB143ESTP - Rohm Semiconductor herunter.

Datenblätter
DTB143Ex.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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