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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedDTB523YMT2L
Rohm Semiconductor
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DTB523YMT2L - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
DTB523YMT2L
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-DTB523YMT2L
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-723
Datenblatt
DTB523YMT2L.pdf
RoHS Status
vorrätig: 368140

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Anzahl

Spezifikation

DTB523YMT2L Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - DTB523YMT2L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - DTB523YMT2L

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 12 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 100mA  
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse VMT3  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms  
Leistung - max 150 mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SOT-723  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 260 MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 140 @ 100mA, 2V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500 mA  
Grundproduktnummer DTB523  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor DTB523YMT2L.

Produkteigenschaften DTB523YMT2L DTB143EKT146 DTB743EETL DTB713ZMT2L
Artikelnummer DTB523YMT2L DTB143EKT146 DTB743EETL DTB713ZMT2L
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Serie - - - -
Leistung - max 150 mW 200 mW 150 mW 150 mW
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500 mA 500 mA 200 mA 200 mA
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 100mA 300mV @ 2.5mA, 50mA 300mV @ 2.5mA, 50mA 300mV @ 2.5mA, 50mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 12 V 50 V 30 V 30 V
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms 4.7 kOhms 4.7 kOhms 1 kOhms
Frequenz - Übergang 260 MHz 200 MHz 260 MHz 260 MHz
Supplier Device-Gehäuse VMT3 SMT3 EMT3 VMT3
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased
Grundproduktnummer DTB523 DTB143 DTB743 DTB713
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA 500nA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 140 @ 100mA, 2V 47 @ 50mA, 5V 115 @ 100mA, 2V 140 @ 100mA, 2V
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms 4.7 kOhms 4.7 kOhms 10 kOhms
Verpackung / Gehäuse SOT-723 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-75, SOT-416 SOT-723

DTB523YMT2L Datenblatt PDF

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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