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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedDTC114ESATP
Rohm Semiconductor
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DTC114ESATP - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
DTC114ESATP
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-DTC114ESATP
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-72 Formed Leads
Datenblatt
DTC114Ex(A).pdf
RoHS Status
vorrätig: 4820

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Anzahl

Spezifikation

DTC114ESATP Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - DTC114ESATP Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - DTC114ESATP

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA  
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse SPT  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms  
Leistung - max 300 mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SC-72 Formed Leads  
Paket Tape & Box (TB)  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang 250 MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 30 @ 5mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 50 mA  
Grundproduktnummer DTC114  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor DTC114ESATP.

Produkteigenschaften DTC114ESATP DTC114EUA DTC114EUBHZGTL DTC114EM3T5G
Artikelnummer DTC114ESATP DTC114EUA DTC114EUBHZGTL DTC114EM3T5G
Hersteller Rohm Semiconductor Yangjie Technology Rohm Semiconductor onsemi
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms 10 kOhms 10 kOhms 10 kOhms
Strom - Kollektor (Ic) (max) 50 mA 100 mA 100 mA 100 mA
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms - 10 kOhms 10 kOhms
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA - 500nA
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Leistung - max 300 mW 200 mW 200 mW 260 mW
Supplier Device-Gehäuse SPT SOT-323 UMT3F SOT-723
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased + Diode NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased
Grundproduktnummer DTC114 DTC114 DTC114 DTC114
Serie - - Automotive, AEC-Q101 -
Verpackung / Gehäuse SC-72 Formed Leads SC-70, SOT-323 SC-85 SOT-723
Paket Tape & Box (TB) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V - 50 V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 30 @ 5mA, 5V 30 @ 5mA, 5V 30 @ 10mA, 5V 35 @ 5mA, 10V
Frequenz - Übergang 250 MHz 250 MHz 250 MHz -

DTC114ESATP Datenblatt PDF

Laden Sie DTC114ESATP PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für DTC114ESATP - Rohm Semiconductor herunter.

Datenblätter
DTC114Ex(A).pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
Die obige Tabelle dient nur als Referenz.Möglicherweise gibt es einige Datenverzerrungen für die unkontrollierbaren Faktoren.
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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