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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedDTC114ESA-AP
DTC114ESA-AP Image
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DTC114ESA-AP - Micro Commercial Co

Hersteller Artikelnummer
DTC114ESA-AP
Hersteller
Micro Commercial Components (MCC)
Allelco Artikelnummer
32D-DTC114ESA-AP
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANSISTOR TO-92
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads)
Datenblatt
DTC114ESA.pdf
RoHS Status
RoHS-konform
vorrätig: 5060

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Anzahl

Spezifikation

DTC114ESA-AP Tech -Spezifikationen
Micro Commercial Co - DTC114ESA-AP Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Micro Commercial Co - DTC114ESA-AP

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Micro Commercial Components (MCC)  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA  
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse TO-92S  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms  
Leistung - max 300 mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads)  
Paket Tape & Box (TB)  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang 250 MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 30 @ 5mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer DTC114  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Micro Commercial Co DTC114ESA-AP.

Produkteigenschaften DTC114ESA-AP DTC114EUAT106 DTC114ESATP DTC114EM3T5G
Artikelnummer DTC114ESA-AP DTC114EUAT106 DTC114ESATP DTC114EM3T5G
Hersteller Micro Commercial Co Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor onsemi
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA 500nA
Serie - - - -
Frequenz - Übergang 250 MHz 250 MHz 250 MHz -
Grundproduktnummer DTC114 DTC114 DTC114 DTC114
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
Leistung - max 300 mW 200 mW 300 mW 260 mW
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 100 mA 50 mA 100 mA
Supplier Device-Gehäuse TO-92S UMT3 SPT SOT-723
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA
Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads) SC-70, SOT-323 SC-72 Formed Leads SOT-723
Paket Tape & Box (TB) Tape & Reel (TR) Tape & Box (TB) Tape & Reel (TR)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V 50 V 50 V
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms 10 kOhms 10 kOhms 10 kOhms
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 30 @ 5mA, 5V 30 @ 5mA, 5V 30 @ 5mA, 5V 35 @ 5mA, 10V
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms 10 kOhms 10 kOhms 10 kOhms

DTC114ESA-AP Datenblatt PDF

Laden Sie DTC114ESA-AP PDF -Datenblätter und Micro Commercial Co -Dokumentation für DTC114ESA-AP - Micro Commercial Co herunter.

Umweltinformationen
Micro Commercial CA Prop65.pdf Micro Commercial REACH.pdf Micro Commercial RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 23/Jan/2020.pdf
Datenblätter
DTC114ESA.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-DTC114ESA-AP

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