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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedDTC143ESATP
Rohm Semiconductor
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DTC143ESATP - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
DTC143ESATP
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-DTC143ESATP
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-72 Formed Leads
Datenblatt
DTC143Ex(A).pdf
RoHS Status
vorrätig: 4560

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Anzahl

Spezifikation

DTC143ESATP Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - DTC143ESATP Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - DTC143ESATP

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA  
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse SPT  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 4.7 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms  
Leistung - max 300 mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SC-72 Formed Leads  
Paket Tape & Box (TB)  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang 250 MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 30 @ 10mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer DTC143  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor DTC143ESATP.

Produkteigenschaften DTC143ESATP DTC143EM3T5G DTC143EUAT106 DTC143EKAT146
Artikelnummer DTC143ESATP DTC143EM3T5G DTC143EUAT106 DTC143EKAT146
Hersteller Rohm Semiconductor onsemi Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Widerstand - Emitterbasis (R2) 4.7 kOhms 4.7 kOhms 4.7 kOhms 4.7 kOhms
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA 250mV @ 1mA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA 500nA
Paket Tape & Box (TB) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms 4.7 kOhms 4.7 kOhms 4.7 kOhms
Serie - - - -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 30 @ 10mA, 5V 15 @ 5mA, 10V 30 @ 10mA, 5V 30 @ 10mA, 5V
Leistung - max 300 mW 260 mW 200 mW 200 mW
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V 50 V 50 V
Grundproduktnummer DTC143 DTC143 DTC143 DTC143
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 100 mA 100 mA 100 mA
Frequenz - Übergang 250 MHz 250 MHz 250 MHz 250 MHz
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse SC-72 Formed Leads SOT-723 SC-70, SOT-323 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device-Gehäuse SPT SOT-723 UMT3 SMT3
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased

DTC143ESATP Datenblatt PDF

Laden Sie DTC143ESATP PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für DTC143ESATP - Rohm Semiconductor herunter.

Datenblätter
DTC143Ex(A).pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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