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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedDTC143EU3HZGT106
Rohm Semiconductor
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DTC143EU3HZGT106 - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
DTC143EU3HZGT106
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-DTC143EU3HZGT106
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DTC143EU3HZG IS A DIGITAL TRANSI
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-70, SOT-323
Datenblatt
DTC143EU3HZGT106.pdf
RoHS Status
vorrätig: 490450

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Spezifikation

DTC143EU3HZGT106 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - DTC143EU3HZGT106 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - DTC143EU3HZGT106

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA  
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse UMT3  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 4.7 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms  
Leistung - max 200 mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250 MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 30 @ 10mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer DTC143  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor DTC143EU3HZGT106.

Produkteigenschaften DTC143EU3HZGT106 DTC143EKAT146 DTC143EM3T5G DTC143EUAT106
Artikelnummer DTC143EU3HZGT106 DTC143EKAT146 DTC143EM3T5G DTC143EUAT106
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor onsemi Rohm Semiconductor
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V 50 V 50 V
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-723 SC-70, SOT-323
Supplier Device-Gehäuse UMT3 SMT3 SOT-723 UMT3
Grundproduktnummer DTC143 DTC143 DTC143 DTC143
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA 500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 100 mA 100 mA 100 mA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms 4.7 kOhms 4.7 kOhms 4.7 kOhms
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased
Widerstand - Emitterbasis (R2) 4.7 kOhms 4.7 kOhms 4.7 kOhms 4.7 kOhms
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA 250mV @ 1mA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Leistung - max 200 mW 200 mW 260 mW 200 mW
Serie Automotive, AEC-Q101 - - -
Frequenz - Übergang 250 MHz 250 MHz 250 MHz 250 MHz
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 30 @ 10mA, 5V 30 @ 10mA, 5V 15 @ 5mA, 10V 30 @ 10mA, 5V

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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